在芯片制造的过程中，其它是需要两种光刻机的，一种是前道光刻机，就是将光掩膜板上的电路图，记录到涂了光刻胶的晶圆上的光刻机，因为这是前道工序，所以称之为前道光刻机。
还有一种是后道光刻机，用于芯片后期的封装，在芯片制造过程中，属于后道工序，所以叫后道光刻机。
前道光刻机对光刻机的精度要求非常高，所以会有按精度分的DUV、EUV等光刻机。而后道光刻机虽然重要，但要求不一样，主要是进行2.5D\3D先进封装的光刻机，所以相对要求会低一些，所以当前大家更关注的是前道光刻机。
而前道光刻机方面，自然ASML是老大，毕竟EUV光刻机，只有ASML能够生产，而国内自研的前道光刻机，分辨率显示还是90nm的。
那么问题就来了， 国产90nm的前道光刻机，究竟能够生产几纳米的芯片，是不是就只能是90nm了？
事实上并不是的，在一些晶圆厂的实际测试中，在精度方面，90nm肯定没问题的，同时经过两次曝光，可以得到45nm的芯片，三次曝光最高可以达到22nm左右的水平。
那么有没有可能继续进行第4次曝光，然后就实现了11nm，再进行第5次曝光，然后实现10nm以下呢？理论上可以，但实际不行。
在测试中，进行到第三次曝光时，晶圆的良率已经降低到了一个相当低的值，甚至有时候会低于20%了。如果进行第四次曝光，估计良率会低到离谱，至于第五次、第六次，根本不用想了，良率会接近于0%。
目前像ASML的DUV光刻机，一般最多也只进行两次曝光，很少进行多次曝光，因为会大幅度的降低良率，造成成本上升，这是得不偿失的。
据称，目前国内正在研发28nm精度的光刻机，那么经过2次曝光后，能够达到14nm，然后可以尝试性的进行第三次曝光，然后有可能迈入7nm。
当然，以上只是猜测，因为精度越高的光刻机，多次曝光的难度也就越高了，一切还得看真机的实测才行。
所以，我们还是期待一下国内科技企业能早日攻克EUV光刻机的技术难点，这样才能尽早彻底解决芯片“卡脖子”的问题了，而不是想着多次曝光这种取巧的、以良率换工艺的办法。
